士兰微：芯片规划研制部队超350人研制费用增6年

  据士兰微电子官网音讯，2018年，士兰微新增专利请求数为89项，新增专利数为136项。到2018年末，累计请求数为217项，累计专利数为957项。

  士兰微2018年年报显现，士兰微已被国家开展和变革委员会、工业与信息化部等国家部委认定为“国家规划布局内要点软件和集成电路规划企业”，接连承当了国家科技严重专项“01专项”和“02专项”等多个科研专项课题。

  此外，在我国企业专利500强榜单中，士兰微电子位列第62名，专利实力指数为86.04。

  专利添加与研制投入密不可分，自2012年以来，士兰微研制费用已接连6年添加，研制费用占营收比重约9.8-14.9%。其间，2018年研制费用3.14亿元，占营业费用比例为10.37%。

  在人才部队方面，士兰微已具有一支超越350人的集成电路芯片规划研制部队、超越1500人的芯片工艺、封装技能、测验研制技能部队。

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  光伏IGBT缺货提价代替加快，国产化率将翻倍添加，其间士兰微现已做到了全球前10，其光伏IGBT现已在国内干流逆变器厂商都测验通过及上量。 现有的电磁感应加热电路中一般是通过给IGBT供给占空比逐渐添加的栅极驱动信号使得电路软发动，但由于电磁感应加热电路中的输入端电压一般都比较高，假如选用传统的逐渐添加栅极驱动占空比办法驱动，发动阶段的每次开关周期的注册瞬间都会发生很大的短路电流，使得流经IGBT的电流非常大，这种浪涌电流一方面会形成较大的电磁噪声，影响用户的运用体会，另一方面还会对IGBT的惯例运用的寿数形成影响，甚至会直接烧坏IGBT导致电磁炉失效。 为此，士兰微于2021年6月18日请求了一项名为“IGBT的驱动电路和驱动办法”的

  继续深耕IGBT产品 /

  近期，士兰微电子推出了第四代平面结构高压MOSFET产品——F-CellTM系列高压MOSFET。该产品作业电压能够复盖400V—900V区间，作业电流在1A—18A之间，能够兼容多晶稳压管结构以进步ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS才能，导通电阻低，动态参数优等特色，已被大范围的使用于LED 照明，AC-DC功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等范畴。       F-CellTM产品选用了尺度较小的保护环结构，在相同标准的条件下，具有比较小的芯片面积，可有用添加芯片的利用率且下降芯片的制形本钱。       一起，该产品优化了栅氧化层的厚度和制程质量，进步了栅源击穿电压，来提高了产品可靠性及

  LED芯片成绩低于预期

  SLP0010

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